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    通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷

    通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷

    引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的...

    2022-06-01 標簽:半導體蝕刻 926

    濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

    濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

    摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而,粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度,并隨著溶液pH值的增加而降低,在使用折痕...

    2022-06-01 標簽:半導體晶片 854

    封測企業華進半導體榮獲無錫高新區科技創新貢獻獎

    2022年5月30日,無錫高新區(新吳區)召開全區人才工作暨科技創新大會,華進半導體榮獲“2021年度區科技創新貢獻獎”、“2021年度區科技創新資金重點獎勵企業”,華進半導體總經理孫鵬上臺...

    2022-05-31 標簽:封裝封測華進半導體 311

    22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰和新方法

    22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰和新方法

    本文描述了我們華林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關鍵挑戰并概述了一些新的非等離子體為基礎的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小,金屬硬掩模(MH...

    2022-05-31 標簽:芯片集成電路半導體 1635

    【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

    【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

    點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...

    2021-11-19 標簽:監控系統 84

    圖解SK海力士半導體生產全過程 看半導體制造如何點沙成金
    半導體工業中表面處理和預清洗的重要性

    半導體工業中表面處理和預清洗的重要性

    半導體工業中表面處理和預清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導體接觸的低電阻,酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機殘留物和表面氧化物是必...

    2022-05-26 標簽:半導體蝕刻清洗表面處理 512

    KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

    KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

    在濕法各向異性蝕刻中,底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而,還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現不同形狀的底切...

    2022-05-24 標簽:蝕刻晶片溶液 584

    聯電新加坡晶圓廠P3開始動工,預計2024年底實現量產

    今年3月份,聯電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區新建晶圓廠,共計花費50億美元,預計將在2024年底實現量產。 日前,聯電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工,并且以9.54億新臺幣的價格取得了30年的土...

    2022-05-24 標簽:聯電晶圓廠新加坡 727

    柔性振動盤視覺上料系統

    柔性振動盤視覺上料系統

    柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...

    2021-02-20 標簽:振動盤 500

    等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

    等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

    我們華林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題(從有機硅化合物)的問題,特別注意表面條件,以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質與精密的表面分析裝置不兼容,講了...

    2022-05-19 標簽:等離子體蝕刻 688

    污染和清洗順序對堿性紋理化的影響

    污染和清洗順序對堿性紋理化的影響

    本文介紹了我們華林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中,以研究它們對堿性紋理化過程的影響,由此可見,無機污染對金字塔密度的影響不小...

    2022-05-18 標簽:晶片清洗刻蝕 468

    晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

    晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

    本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組,進行了清洗實驗及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過最小化工序內部時間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質...

    2022-05-16 標簽:晶片硅片鍵合硅襯底 604

    一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

    一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

    本文展示了一種使用連續濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經過200 ℃的多步后退火,獲得了無空洞或微裂紋的牢固結合,基于詳細的表面和鍵合界面表征,...

    2022-05-13 標簽:工藝晶片鍵合 782

    詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

    詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

    本文報道了這種化學鎳的形成,包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查,研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響,以幫助詳細了解活化機理,并確定它們對化學...

    2022-05-13 標簽:工藝晶片刻蝕 661

    不同清洗方法對納米顆粒表征的影響

    不同清洗方法對納米顆粒表征的影響

    本文介紹了我們華林科納研究不同清洗方法(離心和透析)對15納米檸檬酸鈉穩定納米顆粒表面化學和組成的影響,關于透析過程,核磁共振分析表明,經過9個清洗周期后,檸檬酸濃度與第一次...

    2022-05-12 標簽:納米清洗 443

    三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用

    三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用

    我們華林科納研究了三種化學溶液,用于在分布反饋激光器應用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學物質是濃縮的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液,其中n =β和...

    2022-05-12 標簽:光柵激光器清洗 397

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(下)

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(下)

    接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕...

    2022-05-11 標簽:光學蝕刻蝕刻工藝光學器件 313

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(上)

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(上)

    ?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕,用單掩模工藝進行連續非球面光學表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意...

    2022-05-11 標簽:光學蝕刻蝕刻工藝光學器件 229

    使用n型GaSb襯底優化干法和濕法蝕刻工藝

    使用n型GaSb襯底優化干法和濕法蝕刻工藝

    基本化學成分以Cl2為基礎,外加用于側壁鈍化的N2。優化的ICP蝕刻工藝能夠產生具有光滑側壁的高縱橫比結構。使用670nm波長的激光進行原位反射監測,以高精度在材料界面停止蝕刻??紤]到在...

    2022-05-11 標簽:工藝蝕刻 226

    5nm及更先進節點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

    5nm及更先進節點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

    雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進節點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。 ? 泛林集團在與...

    2022-05-07 標簽:半導體電路仿真FinFET 5363

    超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告

    超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告

    超聲增強化學腐蝕被用來制作多孔硅層,通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層,發現超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結構,用這種方法可以制作品質因數高得多的多孔硅微腔,...

    2022-05-06 標簽:超聲波蝕刻蝕刻工藝 639

    半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性

    半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性

    本研究利用CFD模擬分析了半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性,并根據分析Case和晶片位置觀察了設計因子變化時的速度變化。...

    2022-05-06 標簽:半導體特性晶片 411

    多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理

    多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理

    為了闡明蝕刻殘留物的形成機理,研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響,我們發現在氧的存在下,蝕刻殘留物形成良好,這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發性乳化...

    2022-05-06 標簽:多晶硅蝕刻 396

    金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

    金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

    本文研究了金屬蝕刻殘留物,尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁,并且通過光發射光譜來監測Cl2、HBr、O2和SF6等離子體...

    2022-05-05 標簽:等離子蝕刻晶片 320

    溫度對去除氮化物和氧化物層的影響

    溫度對去除氮化物和氧化物層的影響

    本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率,該方法從圖案化氮化硅開始,以研究在BOE工藝之...

    2022-05-05 標簽:工藝蝕刻氧化物 322

    使用晶片處理技術在硅中產生溝槽結構

    使用晶片處理技術在硅中產生溝槽結構

    本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術在硅中產生溝槽結構的簡單技術,通過使用(110)Si的取向相關蝕刻,可能在硅中產生具有垂直側壁的溝槽,與該技術一起使用的某些溶液的蝕刻各向...

    2022-05-05 標簽:處理技術蝕刻晶片 357

    半導體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

    半導體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

    摘要 本研究開發了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經過商業脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制...

    2022-04-27 標簽:半導體晶片 590

    多孔GaN的結構和光學特性

    多孔GaN的結構和光學特性

    摘要 本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結構和光學性能。掃描電鏡圖像顯示,孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加,而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力...

    2022-04-27 標簽:光學GaN 575

    半導體工藝中化學機械拋光后刷洗的理論分析

    半導體工藝中化學機械拋光后刷洗的理論分析

    摘要 化學機械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導體器件制造的一個關鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是...

    2022-04-27 標簽:半導體晶片 520

    硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

    硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

    本文研究了氫氧化鉀、TMAH(C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨(四甲基銨)和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響,制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結構。...

    2022-04-26 標簽:蝕刻硅晶片 379

    通過表面分析評估Cu-CMP工藝

    通過表面分析評估Cu-CMP工藝

    半導體裝置為了達成附加值高的系統LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關注?;瘜W機械拋光(CMP)和之后的清...

    2022-04-26 標簽:晶圓工藝CMP 325

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